• FSD7610-C Intergrated current sensor
集成电流传感器

FSD7610-C集成电流传感器

FSD7610-C系列片上电流传感器是以电磁感应原理为基础,采用高灵敏度、高信噪比的隧道磁阻(FSD)设计,其内部温度漂移补偿电路,在主次侧电气隔离的条件下,能准确测量直流、交流、脉冲形式的电流信号。

描述

优势

参数

选择

下载

功能框图


典型输出特性曲线




上电启动时间波形




频率响应特性曲线

以下曲线以FSD7616-050C5BFB为例进行测试:



参数定义及计算公式

封装


引脚定义和接线图


序列号销的名字特征
1IP +电流流入,正方向
2知识产权- - - - - -电流流出,负方向
3数控没有内部电气连接,默认暂停
4VCC电力供应
5数控没有内部电气连接,默认暂停
6输出电压模拟电压输出
7VREF参考电压
8数控没有内部电气连接,默认暂停
9接地
10数控内部无电气连接,默认悬挂


推荐的布局

芯片结温和一次电流

用下面的实验演示板测量了FSD7610-C系列芯片结温与一次电流的关系。




PCB演示板信息
楼层数2层
原侧径镀铜单层区域450平方毫米
单层铜涂层厚度4盎司



图17 PCB DEMO参考布局图



FSD7610-C结的温升主要是由于流过初级导体路径的电流的自发热,热量通过塑料密封体、引线框架、PCB和空气传导。常温下,FSD7610-C的连续加载电流(RMS)与结温升增量的关系曲线如图18所示。在常温下自然气流的环境下,FSD7610-C的结温一般在连续电流加载10min左右时趋于稳定。如图19所示,当直流电流在26℃下连续加载100A时,结温升与加载电流时间的关系约为350s。芯片结温接近165℃。

FSD7610-C的最大连续电流负载能力(电流RMS)与工作环境温度的关系曲线如图20所示。环境温度为25℃时,最大连续电流RMS为96A。在125度,那#大约54A。如果结温不超过165℃,则允许浪涌或脉冲电流超过图中列出的最大值。


指令 

1)接线错误会损坏传感器。

2)产品电源电压VCC必须符合规格。电压过低,产品不能准确输出。如果电压过高,可能会损坏产品。

3)可根据实际需要在产品输出VOUT和GND之间增加RC滤波环节,调节产品输出频率特性。

4)传感器可根据客户要求定制,包括电源电压、测量电流范围、引脚定义等。


产品特点    

•10针SOPW封装

•高精度

•低噪音

•频带宽,响应快

•出色的温度稳定性

•RoHS &;达到兼容的


典型的应用程序

•逆变器电流检测

•电源监控

•电机驱动

•光伏逆变器

•过流保护


绝对最大额定功率

参数

象征

最小值

最大值

单位

电源电压

VCC

-

6

V

E年代D性能(HBM)

VE年代D

-

4

kV

操作温度

助教

-40

125

°C

储存温度

测试

-40

125

°C

最高结温

TJ (M一个X)

-

165

°C


绝缘隔离特性

参数

象征

额定值

单位

绝缘材料抗压强度

VD

4.8

kV(50赫兹, 1分钟)

最大工作隔离电压

VISO

1618

VPK



1144

VRMS

爬电距离

dCP

8.2

毫米

电气间隙

dCL

8.2

毫米

相对泄漏标记指数

CTI

≥ 600

V

 

电参数

参数

 象征

条件

最小值

典型值

最大值

 单位

电源电压

 VCC

FSD7610-XXXC3BFB

3

3.3

3.6

 V



FSD7610-XXXC5BFB

4.5

5

5.5


零偏置电压

 VOFF

知识产权 = 0, VCC  = 3.3 V, FSD7610-XXXC3BFB

-

1.65

-

V



知识产权 = 0, VCC  = 5 V, FSD7610-XXXC5BFB

-

2.5

-


输出饱和电压

-

0.2

-

-

V


VOH

-

-

-

VCC - 0.2


电流消耗

集成电路

VCC = 3.3 V

-

-

6



VCC = 5 V

-

-

6


接通电源的时候

从VCC≥2.5V到VOUT的稳定电平

-

20...0

-

μs

一次侧导体电阻

RIN

助教 = 25°C

-

0.27

-

输出电阻负载

RL

在VOUT和GND之间

1

10

-

输出电容负载

CL

在VOUT和GND之间

-

-

10

nF

输出拉电流

IOUT(源)

VCC = 3.3V, VOUT短接到地

-

43

-



VCC = 5v, VOUT短接到地

-

45

-


输出填充电流

IOUT(下沉)

VCC = 3.3V, VOUT短接为VCC

-

43

-



VCC = 5v, VOUT短接为VCC

-

45

-


VREF电阻负载

RLREF

VREF和GND之间

10

One hundred.

-

VREF容性负载

CLREF

VREF和GND之间

-

1

10

nF

VREF拉电流

IREF(源)

VCC = 3.3V, VREF短路至GND

-

3.7

-

 妈



VCC = 5v, VREF短路至GND

-

8.7

-


 VREF灌注电流

IREF(下沉)

VCC = 3.3V, VREF短路到VCC

-

0.125

-

 妈



VCC = 5v, VREF短路到VCC

-

0.135

-


电源抑制比

PSRR

直流~ 1 khz, One hundred. mv pk-pk 涟漪便成了 VCC  = 5 V, 知识产权  = 0

-

-40

-

dB

共模磁场抑制比

CMFRR

均匀外磁场

-

-40

-

dB

上升时间

trise

 10%到90%的时间从最后的VOUT

-

1.1

-

μs

延迟时间

道明

从最终知识产权到相应的VOUT需要20%的时间

-

0.4

-

μs

响应时间

tR

90%的时间从最终知识产权到相应的VOUT

-

1.2

-

μs

带宽

BW

知识产权= 10一个,幅度衰减至3dB

-

350

-

千赫

 

FSD7610-XXXC3BFB 性能参数

助教 = 25°C, VCC = 3.3V, RL = 10 kΩ除非另有说明

 

参数

象征

条件

最小值

典型值

最大值

单位

测量 范围

知识产权M

fsd7610 - 050 c3bfb

-50年年

-

50

 A



fsd7610 - 075 c3bfb

-75年年

-

75




fsd7610 - One hundred. c3bfb

One hundred.年

-

One hundred.




fsd7610 - 150 c3bfb

150年年

-

150




fsd7610 - 200 c3bfb

200年

-

200


灵敏度

S

fsd7610 - 050 c3bfb

-

26.4

-

 mV /



fsd7610 - 075 c3bfb

-

17.6

-




fsd7610 - 100 c3bfb

-

13.2

-




fsd7610 - 150 c3bfb

-

8.8

-




fsd7610 - 200 c3bfb

-

6.6

-


 基本的错误

 XG

助教 = 25 °C, 知识产权 = 知识产权M(分钟) ~ IPM (max)

-

±1

-

 % IPM (max)



助教 = -40 °C ~ + 25 °C, 知识产权 = IPM(分钟) ~ IPM (max)

2

-

2




助教 = 25 °C ~ + 125 °C, 知识产权 = IPM(分钟)  ~ IPM (max)

3

-

3


线性误差

εL

知识产权 = IPM(分钟) ~ IPM (max)

-

0.5

1

% IPM (max)

灵敏度误差

ε年代

助教 = 25 °C, 知识产权 = IPM(分钟) ~ IPM (max)

-1

-

1

 %



助教 = -40 °C ~ + 25 °C, 知识产权 = IPM(分钟) ~ IPM (max)

-1.5

-

1.5




助教 = 25 °C ~ + 125 °C, 知识产权 = IPM(分钟)  ~ IPM (max)

2

-

2


参考电压

 VREF

助教 = 25 °C

1.645

-

1.655

 V



助教 = -40 °C ~ + 125 °C

1.635

-

1.665


 零偏置电压

 小海湾

助教 = 25 °C, IP  = 0,输出电压 - VREF

-10年年年年

-

10

 mV



助教 = -40 °C ~ + 25 °C, IP  = 0,输出电压 - VREF

-12年

-

12




助教 = 25 °C ~ + 125 °C, 知识产权 = 0,输出电压 - VREF

20年

-

20


磁滞

VOH

知识产权 = IPM(分钟) 或 IPM (max) → 0

-10

-

10

mV

噪音

VN

助教 = 25 °C, BW = 100 千赫

-

10

-

mVPP

 

FSD7610-XXXC5BFB

助教 = 25°C, VCC = 5 V, RL = 10 kΩ除非另有说明


参数

 象征

 条件

最小值

最小值

最小值

单位

测量范围

 IPM

fsd7610 - 050 c5bfb

-50

-

50

A



fsd7610 - 075 c5bfb

-75

-

75




fsd7610 - 100 c5bfb

-100年

-

100




fsd7610 - 150 c5bfb

-15年0

-

150




fsd7610 - 200 c5bfb

-20年0年

-

200


灵敏度

 S

fsd7610 - 050 c5bfb

-

40

-

mV /



fsd7610 - 075 c5bfb

-

26.67

-




fsd7610 - 100 c5bfb

-

20

-




fsd7610 - 150 c5bfb

-

13.33

-




fsd7610 - 200 c5bfb

-

10

-


基本的错误

XG

助教 = 25 °C, 知识产权 = IPM(分钟) ~ IPM (max)

-

±1

-

% IPM (max)



助教 = -40 °C ~ + 25 °C, 知识产权 = IPM(分钟) ~ IPM (max)

-2

-

2




助教 = 25 °C ~ + 125 °C, 知识产权 = IPM(分钟)  ~ IPM (max)

-3

-

3


线性误差

εL

知识产权 = IPM(分钟) ~ IPM (max)

-

0.5

1

% IPM (max)

灵敏度误差

ε年代

助教 = 25 °C, 知识产权 = IPM(分钟) ~ IPM (max)

-1

-

1

 %



助教 = -40 °C ~ + 25 °C, 知识产权 = IPM(分钟) ~ IPM (max)

-1.5

-

1.5




助教 = 25 °C ~ + 125 °C, 知识产权 = IPM(分钟)  ~ IPM (max)

-2

-

2


参考电压

VREF

助教 = 25 °C

2.495

-

2.505

V



助教 = -40 °C ~ + 125 °C

2.48

-

2.52


零偏置电压

小海湾

助教 = 25 °C, IP  = 0,输出电压 - VREF

-10

-

10

mV



助教 = -40 °C ~ + 25 °C, IP  = 0,输出电压 - VREF

-15

-

15




TA = 25 °C ~ + 125 °C, 知识产权 = 0,输出电压 - VREF

-20

-

20


磁滞

VOH

IP  = IPM(分钟) 或 IPM (max) → 0

-10

-

10

mV

 噪音

VN

TA = 25 °C, BW = 100 千赫

-

10

-

mVPP


类型

电源电压

测量 范围

零偏置电压

灵敏度

fsd7610 - 050 c3bfb

3.3 V

±50 一个

1.65 V

26.4 mv /一个

fsd7610 - 075 c3bfb

3.3 V

±75 一个

1.65 V

17.6 mv /一个

fsd7610 - 100 c3bfb

3.3 V

±100

1.65 V

13.2 mV /

fsd7610 - 150 c3bfb

3.3 V

±150 一个

1.65 V

8.8 mv /一个

fsd7610 - 20.0 c3bfb

3.3 V

±200

1.65 V

6.6 mv /一个

fsd7610 - 050 c5bfb

5 V

±50 一个

2.5 V

40 mV /

fsd7610 - 075 c5bfb

5 V

±75 一个

2.5 V

26.67 mV /

fsd7610 - 100 c5bfb

5 V

±100 一个

2.5 V

20 mV /

fsd7610 - 150 c5bfb

5 V

±150

2.5 V

13.33 mV /

fsd7610 - 200 c5bfb

5 V

±200

2.5 V

10 mV /


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