• FSD7616-C INTEGRATED CURRENT SENSORS
集成电流传感器

Fsd7616-c集成电流传感器

FSD7616-C系列片上电流传感器基于电磁感应原理,采用隧道磁阻(TMR)设计,具有高灵敏度和高信噪比,其内部调理电路可以在主副侧电隔离的条件下精确测量直流、交流和脉冲形式的电流信号。

描述

优势

参数

选择

下载

功能框图

图1 FSD7616-C功能框图

典型输出特性曲线


上电启动时间波形


频率响应特性曲线

以下曲线以FSD7616-050C5BFB为例进行测试:


参数定义及计算公式

封装


引脚定义和接线图


序列号

销的名字

特征

1

IP +

 电流流入,正方向

2



3



4



5

知识产权- - - - - -

 电流流出,负方向

6



7



8



9

数控

没有内部电气连接,默认暂停

10

VCC

电力供应

11

数控

没有内部电气连接,默认暂停

12

输出电压

模拟电压输出

13

VREF

参考电压

14

数控

没有内部电气连接,默认暂停

15

接地

16

数控

没有内部电气连接,默认暂停

PCB推荐布局


用下面的实验演示板测量了FSD7616-C系列芯片结温与一次电流的关系。


PCB演示板信息

楼层数

2层楼

原侧径镀铜单层区域

910 平方毫米

单层铜涂层厚度

4盎司


FSD7616-C结的温升主要是由于流过初级导体路径的电流的自发热,热量通过塑料密封体、引线框架、PCB和空气传导。常温下,FSD7616-C的连续加载电流(RMS)与结温升增量的关系如图18所示。在常温下自然气流的环境下,FSD7616-C的结温一般在连续电流加载10min左右时趋于稳定。如图19所示,当直流电流在25℃下连续加载50A时,结温升与加载电流时间的关系曲线约为100s。芯片结温接近100℃。

FSD7616-C的最大连续电流负载能力(RMS)与工作环境温度的关系曲线如图20所示。环境温度为25℃时,最大连续电流有效值为56A。在125度,它#大约30岁。如果结温不超过165℃,则允许浪涌或脉冲电流超过图中列出的最大值。采用适当的布局,如增加铜的厚度、面积和PCB层,可以有较好的散热效果。


指令 

1) 线缆连接错误可能会损坏传感器。

2)产品电源电压VCC必须符合规格。电压过低,产品不能准确输出。如果电压过高,可能会损坏产品。

3)可根据实际需要在产品输出VOUT和GND之间增加RC滤波环节,调节产品输出频率特性。

4)传感器可根据客户要求定制,包括电源电压、测量电流范围、引脚定义等。


产品特点  

•16针SOPW封装

•高精度

•低噪音

•频带宽,响应快

•出色的温度稳定性

•RoHS &;达到/ RoHS和;达到兼容的


典型的应用程序

•逆变器电流检测

•电源监控

•电机驱动

•光伏逆变器

•过流保护


绝对最大额定功率


参数

象征

最小值

最大值

单位

电源电压

VCC

-

6

V

E年代D性能(HBM)

VE年代D

-

4

kV

工作温度

助教

-40

125

°C

储存温度

测试

-40

125

°C

最高结温

TJ (M一个X)

-

165

°C

 

隔离的特点

 

参数

象征

额定值

单位

绝缘材料抗压强度

VD

4.8

kV(50赫兹, 1分钟)

最大工作隔离电压

 VISO

1550

VPK



1097

VRMS

爬电距离

dCP

8.2

毫米

电气间隙

dCL

8.2

毫米

相对泄漏标记指数

CTI

600

V

 

电参数

 

参数

 象征

条件

最小值

典型值

最大值

单位

电源电压

 VCC

FSD7616-XXXC3BFB

3

3.3

3.6

 V



FSD7616-XXXC5BFB

4.5

5

5.5


零偏置电压

 VOFF

知识产权 = 0, VCC  = 3.3 V,

FSD7616-XXXC3BFB

-

1.65

-

V



知识产权 = 0, VCC  = 5 V,

FSD7616-XXXC5BFB

-

2.5

-


 

输出饱和电压

-

0.2

-

-

 V


VOH

-

-

-

VCC - 0.2


电流消耗

集成电路

VCC = 3.3 V

-

-

6



VCC = 5 V

-

-

6


接通电源的时候

从VCC≥2.5V到VOUT的稳定电平

-

20..0

-

μs

一次侧导体电阻

RIN

助教 = 25°C

-

0.95

-

输出电阻负载

RL

在VOUT和GND之间

1

10

-

输出电容负载

CL

在VOUT和GND之间

-

-

10

nF

输出拉电流

IOUT(源)

VCC = 3.3V, VOUT短接到地

-

43

-

 



VCC = 5v, VOUT短接到地

-

45

-

输出填充电流

IOUT(下沉)

VCC = 3.3V, VOUT短接为VCC

-

43

-

 



VCC = 5v, VOUT短接为VCC

-

45

-

VREF电阻负载

RLREF

VREF和GND之间

10

One hundred.

-

VREF容性负载

CLREF

VREF和GND之间

-

1

10

nF

 VREF拉电流

 IREF(源)

VCC = 3.3V, VREF短路至GND

-

3.7

-

 



VCC = 5v, VREF短路至GND

-

8.7

-



VREF灌注电流

 

IREF(下沉)

VCC = 3.3V, VREF短路到VCC

-

0.125

-

 



VCC = 5v, VREF短路到VCC

-

0.135

-


电源抑制比

PSRR

直流~ 1 khz, One hundred. mv pk-pk 涟漪便成了 VCC  = 5 V, 知识产权  = 0

 -

-40

 -

dB

共模磁场抑制比

CMFRR

均匀外磁场

-

-40

-

dB

上升时间

trise

助教 = 25 °C, lP = 知识产权M (max)

-

0.5

-

μs

延迟时间

道明

助教 = 25 °C, lP = 知识产权M (max)

-

0.4

-

μs

响应时间

tR

助教 = 25 °C, lP = 知识产权M (max)

-

0.8

-

μs

带宽

BW

知识产权= 10一个,幅度衰减至3dB

-

600

-

千赫

 

FSD7616-XXXC3BFBPerf或mance 参数

助教 = 25°C, VCC = 3.3V, RL = 10 kΩ除非另有说明

 

 参数

 象征

条件

最小值

典型值

最大值

单位

测量电流范围

 知识产权M

fsd7616 - 020 c3bfb

20年

-

20

 A



fsd7616 - 030.... c3bfb

30年年

-

30




fsd7616 - 040 c3bfb

-40

-

40




fsd7616 - 050 c3bfb

-50年年

-

50




fsd7616 - 065 c3bfb

-65年年

-

65


灵敏度

S

fsd7616 - 020 c3bfb

-

66

-

 mV /



fsd7616 - 030 c3bfb

-

44

-




fsd7616 - 040 c3bfb

-

33

-




fsd7616 - 050 c3bfb

-

26.4

-




fsd7616 - 065 c3bfb

-

20.31

-


 基本的错误

 XG

助教 = 25 °C, 知识产权 = IPM(分钟) ~ IPM (max)

-

±1

-

% IPM (max)



助教 = -40 °C ~ + 125 °C, 知识产权= IPM(分钟)  ~ IPM (max)

-3

-

3


线性误差

εL

知识产权 = IPM(分钟) ~ IPM (max)

-

0.5

1

% IPM (max)

 灵敏度误差

 ε年代

助教 = 25 °C, 知识产权 = IPM(分钟) ~ IPM (max)

1

-

1

 %



助教 = -40 °C ~ + 25 °C, 知识产权 = IPM(分钟) ~ IPM (max)

1.5

-

1.5




助教 = 25 °C ~ + 125 °C, 知识产权= IPM(分钟)  ~ IPM (max)

2

-

2


参考电压

 VREF

助教 = 25 °C

1.645

-

1.655

V



助教 = -40 °C ~ + 125 °C

1.635

-

1.665


 零偏置电压

 小海湾

助教 = 25 °C, IP  = 0,输出电压 - VREF

-10年年

-

10

mV



助教 = -40 °C ~ + 25 °C, IP  = 0,输出电压 - VREF

-25年年

-

25




助教 = 25 °C ~ + 125 °C, 知识产权 = 0,输出电压 - VREF

-25

-

25


磁滞

VOH

知识产权 = IPM(分钟) 或 IPM (max) → 0

-

±10

-

mV

噪音

VN

助教 = 25 °C, BW = One hundred. 千赫

-

10

-

mVPP

  

FSD7616-XXXC5BFB性能参数

助教 = 25°C, VCC = 5 V, RL = 10 kΩ除非另有说明

 

参数

象征

条件

最小值

典型值

最大值

单位

测量电流范围

 IPM

fsd7616 - 020 c5bfb

-20年

-

20

 A



fsd7616 - 030 c5bfb

-30年年

-

30




fsd7616 - 040 c5bfb

-40

-

40




fsd7616 - 050 c5bfb

-50

-

50




fsd7616 - 065 c5bfb

-65

-

65


灵敏度

S

fsd7616 - 020 c5bfb

-

One hundred.

-

mV /



fsd7616 - 030 c5bfb

-

66.67

-




fsd7616 - 040 c5bfb

-

50

-




fsd7616 - 050 c5bfb

-

40

-




fsd7616 - 065 c5bfb

-

30.77

-


基本的错误

XG

助教 = 25 °C, 知识产权 = IPM(分钟) ~ IPM (max)

-

±1

-

% IPM (max)



助教 = -40 °C ~ + 125 °C, 知识产权= IPM(分钟)  ~ IPM (max)

-3

-

3


线性误差

εL

知识产权 = IPM(分钟) ~ IPM (max)

-

0.5

1

% IPM (max)

灵敏度误差

 ε年代

助教 = 25 °C, 知识产权 = IPM(分钟) ~ IPM (max)

-1

-

1

 %



助教 = -40 °C ~ + 25 °C, IP  = IPM(分钟) ~ IPM (max)

-1.5

-

1.5




助教 = 25 °C ~ + 125 °C, IP  = IPM(分钟)  ~ IPM (max)

-2

-

2


参考电压

VREF

助教 = 25 °C

2.495

-

2.505

 V



助教 = -40 °C ~ + 125 °C

2.48

-

2.52


 

零偏置电压

 

小海湾

助教 = 25 °C, IP  = 0,输出电压 - VREF

-10

-

10

 

mV



助教 = -40 °C ~ + 25 °C, IP  = 0,输出电压 - VREF

-30

-

30




TA = 25 °C ~ + 125 °C, IP  = 0,输出电压 - VREF

-30

-

30


磁滞

VOH

IP  = IPM(分钟) or IPM (max) → 0

-

±10

-

mV

噪音

VN

TA = 25 °C, BW = 100 千赫

-

10

-

mVPP

 

 

 

 

 

 


类型

电源电压

测量 范围

零偏置电压

灵敏度

fsd7616 - 020 c3bfb

3.3 V

±20 一个

1.65 V

66 mV /

fsd7616 - 030 c3bfb

3.3 V

±30 一个

1.65 V

44 mV /

fsd7616 - 040 c3bfb

3.3 V

40± 一个

1.65 V

33 mV /

fsd7616 - 050 c3bfb

3.3 V

±50 一个

1.65 V

26.4 mV /

fsd7616 - 065 c3bfb

3.3 V

±65 一个

1.65 V

20.31 mV /

fsd7616 - 020 c5bfb

5 V

±20 一个

2.5 V

One hundred. mV /

fsd7616 - 030 c5bfb

5 V

±30 一个

2.5 V

66.67 mV /

fsd7616 - 040 c5bfb

5 V

40± 一个

2.5 V

50 mV /

fsd7616 - 050 c5bfb

5 V

±50 一个

2.5 V

40 mV /

fsd7616 - 065 c5bfb

5 V

±65 一个

2.5 V

30.77 mV /


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